工信部调研组赴国网江苏电力调研

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本内容为作者独立观点，部调不代表材料人网立场。这些挑战和机遇无疑将推动材料科学与工程行业向前不断发展，研组研达到并超越下一代高性能应用设备对的材料要求[9]。

赴国但这一预测与广大试验结果相悖。与此同时，网江材料的硬度和拉伸屈服强度相较于不掺入铝元素的耐火合金都有所提高。苏电上海理工大学李伟教授和他的团队利用溅射法合成了(AlCrTiZrHf)N高熵合金并探究了不同的氮气流速对其微观结构以及机械性能的影响。

经过仔细筛选和比较，力调HugoO.Mosca教授和他的团队选择了Al和V两种元素取代Hf并结合BFS使用模拟的方法对合成的高熵合金材料在不同元素组分构成下和不同温度环境下的原子分布情况进行了研究。实验结果显示，工信使用其钎焊后连接点的强度远高于常用的填充材料（AgCuTi）。

部调人们惊讶于它在机械性能方面的卓越表现以及甚至被赋予功能化的可能性。

除此以外，研组研出于工业化运用的要求，纳米粒子需要被固定在颗粒载体上以实现更好的工作状态。在该领域获得了一系列成果，赴国成功合成世界上最细的铜米线（16nm）并实现功函数可调的深紫外透明电极应用，赴国实现3D石墨烯包裹铜米线合成及全透明LED芯片制备，实现一锅法快速核壳合金Cu纳米线网络制备，发明选择性透明、保温隐私玻璃，成功制备超大面积二维单原子层h-BN薄膜（25inch）并首次实现p型电导掺杂，提出非对称超薄AlN/GaN超晶格人工结构并实现了深紫外发光的各向同性化调制。

参考文献:[1]ACSNano14,6761-6773(2020).[2]JournalofPhysicalChemistryLetters11,2559-2569(2020).[3]ScientificReports8,13721(2018).[4]ACSAppliedMaterialsInterfaces8,28709(2016).[5]ScientificReports6,34766(2016).[6]Nanoscale7,10613–10621(2015).[7]ScientificReports3,2323(2013).[8]LaserPhotonicsReviews7,572(2013).【图文导读】图1.铜纳米线的表征（a）铜纳米线的光学显微图像（b）铜纳米线的SEM图像（c）XRD图谱分别表示Cu（111），网江Cu（200）和Cu（220）在43.5°，网江50.6°和74.3°处的衍射峰单个CuNW的（d，e）TEM图像和CuNW选定区域的HRTEM图像，0.208-nm晶格参数对应于Cu（111）平面的距离（f）铜纳米线的晶体结构和刻面示意图（g）XRD图谱分别表明Cu（111），Cu（200）和Cu（220）在43.5°，50.6°和74.3°处的衍射峰图2.激光辐照表征（a）对铜纳米线进行激光辐照处理的完整过程的示意图（b-e）紫外激光束以0、4、8和12mJ/cm2的辐射能量扫描的铜纳米线的SEM图像（f）铜纳米线薄膜的吸光度与波长的关系（g）激光辐照前后的铜纳米线的AES光谱（h）激光辐照前后铜纳米线的FT-IR光谱图3.CuNW的热分布（a）带有接触结的交叉式铜纳米线的模型结构，用于有限元模拟（b）脉冲紫外激光的光谱，显示在248nm处的中心峰（c）计算得出的交叉铜纳米线相对于激光波长的热分布，范围为220至800nm（d）各种直径的交叉CuNW的热分布计算值（e）计算出不同距离的交叉CuNW的热分布图4.铜纳米线的应用表征（a）各种油墨浓度下的铜纳米线TE的透射率（b）不同浓度的铜纳米线TE的透射率与薄层电阻的关系（c）在室温下暴露于空气中30天的不同方法处理的铜纳米线的表面电阻与老化时间的关系（d）在85oC和RH=90％的条件下放置14天的各种CuNWs薄膜的表面电阻与老化时间的关系（e,f）在环境中暴露30天并在85oC和RH=90％的条件下暴露14天的激光焊接CuNW的XPS光谱图5.用于柔性显示（a）用于程序化激光扫描的运动控制站示意图（b）运动控制站的照片（c）在PET上大面积激光焊接柔性NWsTCE薄膜（d）警告信号模块，具有透明灵活的电路，通过编程的激光扫描焊接编写而成，并与电子元件结合在一起（e-f）粉色LED指示灯或绿色LED指示灯发出警告信号的操作状态图6.器件的制备与表征（a）具有铜NWsTCE的GaN基UVLED的完整结构示意图（b-d）UVLED芯片的制备过程示意图（e-f）通过图案化压印铜纳米线传统文化表现形式在板上制造的UVLED芯片的照片（g）激光焊接CuNWsTCE的UVLED的I-V曲线（h）在各种注入电流下，UVLED的EL光谱，在385nm处显示出尖锐的发射峰（i）带有激光焊接的铜NWsTCE和ITO的UVLED的光输出功率和EQE作为电流的函数进行比较【小结】金属纳米线（NWs）已显示出下一代透明导电（TC）材料的卓越进步。苏电这种方法通过直接一步激光刻写开辟了电路和器件制造的未来方式

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